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專(zhuān)題
2021/9/16 16:48

UP·2021展銳線(xiàn)上生態(tài)峰會(huì):產(chǎn)業(yè)共話(huà)半導(dǎo)體先進(jìn)制造技術(shù)創(chuàng)新

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C114訊 9月16日消息 5G與云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能等新技術(shù)的結(jié)合,將開(kāi)啟萬(wàn)物智聯(lián)的數(shù)字新世界。而在人們生活和千行百業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型過(guò)程中,芯片是所有數(shù)字化硬件基礎(chǔ)設(shè)施和終端設(shè)備的產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn),半導(dǎo)體制造更是產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)。

隨著近幾年指導(dǎo)芯片發(fā)展的“摩爾定律”基本失效,尋找延續(xù)半導(dǎo)體繼續(xù)進(jìn)步的新驅(qū)動(dòng)力成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。市場(chǎng)對(duì)“更小、更快、功耗更低、集成度更高”的芯片性能要求,正在驅(qū)動(dòng)從工藝到材料到封裝等先進(jìn)制造技術(shù)的產(chǎn)生和發(fā)展。后摩爾時(shí)代,先進(jìn)封裝已經(jīng)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展的重要方向。

5G時(shí)代,半導(dǎo)體制造技術(shù)面臨哪些新挑戰(zhàn)和新趨勢(shì)?半導(dǎo)體制造技術(shù)又該如何滿(mǎn)足“萬(wàn)物智聯(lián)”的產(chǎn)業(yè)需求呢?對(duì)此,在9月16日舉辦的“UP·2021展銳線(xiàn)上生態(tài)峰會(huì)”期間的“半導(dǎo)體先進(jìn)制造技術(shù)創(chuàng)新”技術(shù)論壇上,來(lái)自半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先廠(chǎng)商代表、技術(shù)專(zhuān)家,共同探討了半導(dǎo)體先進(jìn)制造技術(shù)創(chuàng)新的現(xiàn)在與未來(lái)。

業(yè)界普遍認(rèn)為,SiP是超越摩爾定律的重要實(shí)現(xiàn)路徑。展銳封裝設(shè)計(jì)工程部部長(zhǎng)尹紅成指出:SiP封裝的特點(diǎn)是數(shù)字模擬分開(kāi),根據(jù)需要導(dǎo)入先進(jìn)工藝,能很好的解決不同工藝芯片的異質(zhì)集成問(wèn)題。SiP的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活、空間利用率高、上市時(shí)間短、更高性能、單板系統(tǒng)簡(jiǎn)潔度高、可靠性高等。例如,與模組廠(chǎng)家的模組相比,展銳自己開(kāi)發(fā)的SiP芯片模組面積縮小45%、上市時(shí)間提前4個(gè)月、RF性能提高0.5-1.5dB,系統(tǒng)可靠性顯著提高。

展銳封裝設(shè)計(jì)工程部部長(zhǎng)尹紅成

從基板、封測(cè)到設(shè)計(jì)公司,再到終端客戶(hù),形成了完整的SiP產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。尹紅成表示:生態(tài)鏈中包含了許多優(yōu)秀的公司,展銳有先進(jìn)的SiP封裝技術(shù)的應(yīng)用和豐富產(chǎn)品形態(tài),展銳期待與生態(tài)鏈合作伙伴一起“相異相補(bǔ),協(xié)調(diào)統(tǒng)一,和諧共進(jìn)”,最終實(shí)現(xiàn)合和共生,共同用先進(jìn)SiP封裝技術(shù)超越摩爾定律。

江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司技術(shù)開(kāi)發(fā)總監(jiān)陳棟

江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司技術(shù)開(kāi)發(fā)總監(jiān)陳棟表示:封裝是連接芯片與PDP板之間的橋梁,受晶圓制造技術(shù)的牽引,封裝技術(shù)不斷向著更高密度、更高集成度方向發(fā)展,不僅加速了封裝技術(shù)的發(fā)展,也推動(dòng)了半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。陳棟介紹了長(zhǎng)電科技目前在多維fan-out封裝系列解決方案和其在不同客戶(hù)端領(lǐng)域的應(yīng)用情況。據(jù)了解,長(zhǎng)電科技已經(jīng)推出XDFOI™全系列極高密度扇出型封裝解決方案,旨在為全球客戶(hù)高度關(guān)注的芯片異構(gòu)集成提供高性?xún)r(jià)比、高集成度、高密度互聯(lián)和高可靠性的解決方案,引領(lǐng)先進(jìn)芯片成品制造技術(shù)創(chuàng)新邁向新高度。

SPIL的資深專(zhuān)家王愉博

SPIL的資深專(zhuān)家王愉博表示:當(dāng)前,5G是推動(dòng)半導(dǎo)體增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力,特別是封裝市場(chǎng)的發(fā)展。5G毫米波發(fā)展迅速,頻率更高,帶寬更大,毫米波主要應(yīng)用場(chǎng)景是大帶寬移動(dòng)數(shù)據(jù)(如高質(zhì)量視頻、云游戲)、特定領(lǐng)域(如體育場(chǎng)館、展覽館等)、大帶寬數(shù)據(jù)傳輸和專(zhuān)網(wǎng)垂直行業(yè)等。與此同時(shí),5G毫米波技術(shù)對(duì)新興SiP封裝技術(shù)的需求不斷擴(kuò)大,對(duì)AiP高頻器件的要求也將提高,利用SiP體積小、集成度高、損耗小等特點(diǎn),將實(shí)現(xiàn)天線(xiàn)在封裝上集成成為必然趨勢(shì)。SPIL在AiP毫米波天線(xiàn)技術(shù)上積累了豐富的設(shè)計(jì)、仿真、測(cè)試和量產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn),將更好地支撐好客戶(hù)AiP產(chǎn)品的成功開(kāi)發(fā)。

臺(tái)積電(中國(guó))有限公司高級(jí)技術(shù)專(zhuān)家鄭茂朋

臺(tái)積電(中國(guó))有限公司高級(jí)技術(shù)專(zhuān)家鄭茂朋表示:高密度、高集成度、高性能的需求,是晶圓級(jí)封裝集成的推動(dòng)力。為此,臺(tái)積電先后推出了COWOS、inFo和3D-SOIC wafer level封裝技術(shù)平臺(tái)并實(shí)現(xiàn)平臺(tái)的標(biāo)準(zhǔn)化和歸一化,從而實(shí)現(xiàn)技術(shù)的快速催熟,幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)并快速推向市場(chǎng)。據(jù)了解,通過(guò)與合作伙伴持續(xù)創(chuàng)新,臺(tái)積電將SoIC、inFo、CoWoS等3DIC平臺(tái)整合在一起,推出了“TSMC 3DFabric”,持續(xù)提供業(yè)界最完整且最多用途的解決方案,整合邏輯chiplet、高頻寬存儲(chǔ)器、特殊制程芯片,實(shí)現(xiàn)更多創(chuàng)新產(chǎn)品。臺(tái)積電將發(fā)揮最大的功效去整合現(xiàn)有最前衛(wèi)的封裝技術(shù),為客戶(hù)下一代產(chǎn)品的設(shè)計(jì)提供更多創(chuàng)新想法。

北京華大九天第三研發(fā)中心總經(jīng)理、上海子公司副總經(jīng)理朱能勇

北京華大九天第三研發(fā)中心總經(jīng)理、上海子公司副總經(jīng)理朱能勇表示:隨著集成電路近幾年的高速發(fā)展,面向5G及萬(wàn)物互聯(lián)的應(yīng)用對(duì)于性能和功耗都提出了更高要求,面對(duì)產(chǎn)品性能、功耗及良率的更高要求,設(shè)計(jì)越來(lái)越重視設(shè)計(jì)與工藝協(xié)同優(yōu)化。與傳統(tǒng)工藝設(shè)計(jì)協(xié)同優(yōu)化方式周期長(zhǎng)、效率低、效果差不同的是,以設(shè)計(jì)出發(fā)的設(shè)計(jì)-工藝協(xié)同分析優(yōu)化主要從設(shè)計(jì)產(chǎn)品出發(fā),讓工藝更適應(yīng)芯片需求,并對(duì)工藝調(diào)整提供精確目標(biāo),從而實(shí)現(xiàn)PPA性能及良率的提升;基于模型和設(shè)計(jì)Signoff標(biāo)準(zhǔn),讓芯片更有競(jìng)爭(zhēng)力。華大九天為此提供了從超快速異構(gòu)仿真技術(shù)與Monte-Carlo分析、先進(jìn)工藝庫(kù)分析驗(yàn)證和Spice精度時(shí)序分析一整套解決方案,為設(shè)計(jì)效率、性能和良率提升保駕護(hù)航。

愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試(中國(guó))管理有限公司專(zhuān)家工程師陳浩

愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試(中國(guó))管理有限公司專(zhuān)家工程師陳浩表示:5G收發(fā)器由于涉及頻率范圍廣、射頻端口增加、復(fù)雜的設(shè)備設(shè)置和更高的帶寬等特點(diǎn),給ATE帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。針對(duì)5G DigRF 多端口、高帶寬、測(cè)試內(nèi)容劇增、更高帶寬等挑戰(zhàn),愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試結(jié)合UNISOC 5G Transceiver ATE測(cè)試的硬件設(shè)計(jì)以及量產(chǎn)測(cè)試程序開(kāi)發(fā),實(shí)現(xiàn)5G多端口新頻段、高速DigRF接口以及MIMO并行測(cè)試解決方案,提升了測(cè)試質(zhì)量和效率。

JMP中國(guó)數(shù)據(jù)分析經(jīng)理徐湛

如何正確使用機(jī)器學(xué)習(xí),來(lái)解決半導(dǎo)體行業(yè)難題?JMP中國(guó)數(shù)據(jù)分析經(jīng)理徐湛表示:伴隨半導(dǎo)體行業(yè)的數(shù)據(jù)采集能力持續(xù)增強(qiáng),數(shù)據(jù)分析業(yè)務(wù)場(chǎng)景日趨復(fù)雜,通過(guò)挖掘數(shù)據(jù)背后信息解決實(shí)際業(yè)務(wù)問(wèn)題、支持量化決策的價(jià)值日益突顯。在面對(duì)一些復(fù)雜數(shù)據(jù)分析業(yè)務(wù)場(chǎng)景時(shí),傳統(tǒng)統(tǒng)計(jì)分析方法存在局限性,而選擇適配的機(jī)器學(xué)習(xí)方法無(wú)疑是其良好補(bǔ)充,從而保障分析效果,同時(shí)提高分析效率。機(jī)器學(xué)習(xí)方法的導(dǎo)入,有助于企業(yè)級(jí)的數(shù)據(jù)分析平臺(tái)和工程能力建設(shè),從而支撐智能工廠(chǎng)理念落地。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官霍宗亮

長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官霍宗亮表示:3D NAND向更高堆疊層數(shù)發(fā)展是大容量閃存技術(shù)的主流趨勢(shì)。隨著材料和設(shè)備的進(jìn)步,3D NAND存儲(chǔ)器未來(lái)10年將繼續(xù)延續(xù)摩爾定律,增加密度,提高容量。同時(shí)3D NAND的技術(shù)發(fā)展需要解決諸如IO速度、密度、器件可靠性、研發(fā)制造周期等種種挑戰(zhàn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)差異化技術(shù)路線(xiàn),創(chuàng)造出性能更高、耐用性和數(shù)據(jù)安全性更好的大容量3D NAND閃存方案,同時(shí)也致力于構(gòu)建系統(tǒng)級(jí)解決方案,成為合作伙伴值得信賴(lài)的、持續(xù)創(chuàng)新的存儲(chǔ)方案提供商。

嘉賓們通過(guò)深入的技術(shù)解析,讓我們看到了半導(dǎo)體制造各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域最新關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展、挑戰(zhàn)和應(yīng)用狀態(tài),讓業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造技術(shù)日新月異的發(fā)展方向及行業(yè)趨勢(shì)有深入的了解和洞察。

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