在2024年，英特爾持續(xù)推進技術(shù)創(chuàng)新，在多個技術(shù)領域見證了耕耘和收獲，從制程、封裝技術(shù)到互連微縮的未來探索，再到神經(jīng)擬態(tài)計算、硅光集成等創(chuàng)新領域，足跡所至都是英特爾一年以來不斷探索的印記。
在制程技術(shù)上：
-基于Intel 18A制程打造的首批產(chǎn)品——AI PC客戶端處理器Panther Lake和服務器處理器Clearwater Forest，其樣片于8月出廠、上電運行并順利啟動操作系統(tǒng)，預計將于2025年開始量產(chǎn)。
-英特爾7月發(fā)布Intel 18A PDK（制程設計套件）的1.0版本，讓代工客戶能夠在基于Intel 18A的芯片設計中利用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)和PowerVia背面供電技術(shù)。
在2月Intel Foundry Direct Connect大會上，英特爾首推面向AI時代的系統(tǒng)級代工（systems foundry），提供從工廠網(wǎng)絡到軟件的全棧式優(yōu)化，讓客戶能夠在整個系統(tǒng)層面進行創(chuàng)新；并拓展制程技術(shù)路線圖，新增Intel 14A節(jié)點和Intel 3、Intel 18A和Intel 14A節(jié)點的演化版本，包括性能提升（P）、功能拓展（E）和用于3D堆疊的硅通孔技術(shù)（T）；
在封裝技術(shù)上：
-在2月Intel Foundry Direct Connect大會上，F(xiàn)CBGA 2D+被納入英特爾代工先進系統(tǒng)封裝及測試（Intel Foundry ASAT）的技術(shù)組合之中。這一組合將包括FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB、Foveros和Foveros Direct技術(shù)。
-2024年1月，英特爾實現(xiàn)Foveros 3D先進封裝技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn)，該技術(shù)讓英特爾及其客戶能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊，并為多種芯片的組合提供了靈活的選擇，帶來更佳的功耗、性能和成本優(yōu)化。
在互連、微縮的未來技術(shù)探索上：
-英特爾在12月的IEDM 2024上展示多項互連微縮技術(shù)突破性進展：
•在新材料方面，減成法釕互連技術(shù)（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%，有助于改善芯片內(nèi)互連；
•選擇性層轉(zhuǎn)移（selective layer transfer），一種用于先進封裝的異構(gòu)集成解決方案，能夠?qū)⑼掏铝刻嵘哌_100倍，實現(xiàn)超快速的芯片間封裝（chip-to-chip assembly）；
•柵極長度為6納米的硅基RibbonFET CMOS晶體管，在大幅縮短柵極長度和減少溝道厚度的同時，在對短溝道效應的抑制和性能上達到了業(yè)界領先水平；
•用于微縮的2D GAA晶體管的柵氧化層模塊，進一步加速GAA技術(shù)創(chuàng)新。
在神經(jīng)擬態(tài)計算、硅光集成等創(chuàng)新領域方面：
-英特爾硅光集成解決方案團隊于今年6月展示了業(yè)界領先的、完全集成的OCI（光學計算互連）芯粒，該芯粒與英特爾CPU封裝在一起，運行真實數(shù)據(jù)，可在最長可達100米的光纖上，單向支持64個32Gbps通道, 有望滿足AI基礎設施日益增長的對更高帶寬、更低功耗和更長傳輸距離的需求。
-5月，英特爾的量子硬件研究人員開發(fā)了一種高通量的300毫米低溫檢測工藝，使用CMOS制造技術(shù)，在整個晶圓上收集有關自旋量子比特器件性能的大量數(shù)據(jù)。
-英特爾4月發(fā)布代號為Hala Point的大型神經(jīng)擬態(tài)系統(tǒng)，基于英特爾Loihi 2神經(jīng)擬態(tài)處理器打造而成，旨在支持類腦AI領域的前沿研究，解決AI目前在效率和可持續(xù)性等方面的挑戰(zhàn)。在上一代系統(tǒng)的基礎上，Hala Point將神經(jīng)元容量提高了10倍以上，大致相當于貓頭鷹的大腦或卷尾猴的大腦皮層，并將性能提高了12倍。
