HBM4 已成為內(nèi)存巨頭的新競技場,三星正通過激進(jìn)投資縮小與 SK 海力士的差距。科技媒體 ZDNet Korea 昨日(5 月 22 日)報道稱,三星計(jì)劃在韓國華城和平澤擴(kuò)大 1c DRAM(第六代 10nm 級)生產(chǎn),相關(guān)投資將在年底前啟動。
IT之家援引博文介紹,SK 海力士和美光選擇 1b DRAM 作為 HBM4 的基礎(chǔ)技術(shù),而三星大膽押注更先進(jìn)的 1c DRAM,表明三星有信心提升 1c DRAM 良率。
此外還有消息稱,三星還考慮在今年底前將華城 17 號生產(chǎn)線從 1z DRAM 轉(zhuǎn)為 1c DRAM 生產(chǎn),以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。
該媒體指出,三星今年早些時候已在平澤第四園區(qū)(P4)啟動首條 1c DRAM 生產(chǎn)線,目標(biāo)月產(chǎn)能為 3 萬片晶圓。若后續(xù)擴(kuò)建順利,月產(chǎn)能有望提升至 4 萬片。
韓媒 Chosun Biz4 月報道,三星用于 12 層 HBM4 的關(guān)鍵組件 ——4nm 邏輯芯片,已在測試生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)超過 40% 的良率。
集邦咨詢 TrendForce 預(yù)測,受強(qiáng)勁需求推動,2026 年 HBM 總出貨量將突破 300 億吉比特,HBM4 將在 2026 年下半年超越 HBM3e,成為市場主流解決方案。