臺積電正準(zhǔn)備在2024年12月為其位于亞利桑那州的Fab 21晶圓廠舉行開業(yè)典禮。該儀式將標(biāo)志著該公司國際擴(kuò)張的一個重要里程碑，也是即將離任的拜登政府實(shí)施《芯片法案》的成果。預(yù)計開幕式將吸引高層人士出席，并突出其商業(yè)和地緣政治意義。
據(jù)傳，此次開幕式將于12月6日舉行，將成為美國、中國臺灣關(guān)系和半導(dǎo)體戰(zhàn)略里程碑。屆時將有下一屆總統(tǒng)特朗普、現(xiàn)任總統(tǒng)拜登、亞利桑那州州長凱蒂·霍布斯和臺積電創(chuàng)始人張忠謀出席。臺積電2022年晶圓廠舉行裝機(jī)慶典時，臺積電首席執(zhí)行官魏哲家以及蘋果、AMD和英偉達(dá)的領(lǐng)導(dǎo)人也出席了儀式，因此我們有理由期待臺積電的一些大客戶參加即將舉行的開業(yè)活動。
臺積電計劃在亞利桑那州的Fab 21園區(qū)投資約650億美元，分三期建設(shè)晶圓廠。該公司將獲得美國《芯片法案》66億美元的直接補(bǔ)貼、50億美元貸款以及25%潛在投資稅收抵免。
據(jù)報道，臺積電Fab 21一期已在使用其中一種支持工藝技術(shù)為蘋果生產(chǎn)芯片：N5、N5P、N4、N4P和N4X。在延期之后，該生產(chǎn)設(shè)施將于2025年正式開始為美國客戶生產(chǎn)芯片，因此即將舉行的開業(yè)典禮基本上只是一個形式。
Fab 21二期正在建設(shè)中，預(yù)計不久將完工。臺積電Fab 21二期將采用N3（3nm）或N2（2nm）工藝技術(shù)生產(chǎn)芯片。根據(jù)市場情況以及美國政府和亞利桑那州提供的激勵措施，預(yù)計將于2027~2028年投產(chǎn)。
最后，F(xiàn)ab 21三期預(yù)計將于本十年末或下個十年初投產(chǎn)。目前，預(yù)測它將支持的生產(chǎn)技術(shù)還為時過早，不過很可能會是1nm節(jié)點(diǎn)。 
