綜合韓媒 The Elec 和 ZDNet Korea 報(bào)道，SK 海力士副總裁（也稱常務(wù)）文起一韓國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在學(xué)術(shù)會(huì)議上稱，Chiplet 芯粒 / 小芯片技術(shù)將在 2~3 年后應(yīng)用于 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品。
并非所有存儲(chǔ)產(chǎn)品控制器功能都需要使用先進(jìn)工藝，采用 Chiplet 設(shè)計(jì)可將對(duì)工藝要求較低的功能模塊剝離到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影響功能實(shí)現(xiàn)的同時(shí)大幅降低成本。
SK 海力士正在內(nèi)部開(kāi)發(fā) Chiplet 技術(shù)，該企業(yè)不僅加入了 UCIe 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，也已于 2023 年在全球范圍內(nèi)申請(qǐng)注冊(cè)了用于 Chiplet 技術(shù)的 MOSAIC 商標(biāo)。
▲ SK 海力士 HBM3E 內(nèi)存
文起一在本次會(huì)議上還表示，用于連接 HBM 內(nèi)存各層裸片的新興工藝混合鍵合目前面臨諸多挑戰(zhàn)，但該工藝仍將是未來(lái)方向。
混合鍵合對(duì) CMP（注：化學(xué)機(jī)械拋光）加工步驟提出了更高精細(xì)度要求；此外封裝加工引起的碎屑污染問(wèn)題也對(duì) HBM 內(nèi)存的良率造成明顯影響。 
