SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣(F2)。
SK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報告顯示,該公司原先將三氟化氮(NF3)用于芯片生產(chǎn)過程中的清洗工藝,用于去除沉積過程中腔室內(nèi)部形成的殘留物,其全球變暖潛能值(GWP)顯著高于氟氣(IT之家注:NF3 的 GWP 為 17200,而 F2 為 0)。
除此之外,SK 海力士還進一步增加了氫氟酸(HF)的使用量(可用于低溫蝕刻設(shè)備),該氣體的 GWP 為 1 甚至更低,遠低于過去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳氣體。