《韓國經(jīng)濟(jì)日報》（Hankyung）表示，SK 海力士將采用臺積電 N5 工藝版基礎(chǔ)裸片（Base Die）構(gòu)建 HBM4 內(nèi)存。
新一代 HBM 內(nèi)存 HBM4 的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)即將定案。而根據(jù)IT之家此前報道，SK 海力士的首批 HBM4 產(chǎn)品（12 層堆疊版）有望于 2025 年下半年推出。
SK 海力士和臺積電雙方于今年 4 月簽署了合作諒解備忘錄，宣布將就 HBM 內(nèi)存的基礎(chǔ)裸片加強(qiáng)合作。
而臺積電在 2024 年技術(shù)研討會歐洲場上表示，該企業(yè)準(zhǔn)備了兩款 HBM4 內(nèi)存基礎(chǔ)裸片，分別為面向價格敏感性產(chǎn)品的 N12FFC+ 版和面向高性能應(yīng)用的 N5 版。
其中 N5 版基礎(chǔ)裸片面積僅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下邏輯電路頻率可達(dá) N12FFC+ 版的 155%，同頻率功耗則僅有 35%。
N5 工藝版基礎(chǔ)裸片可實現(xiàn) 6~9μm 級別的互聯(lián)間距，在目前流行的 2.5D 式封裝集成外還能支持 HBM4 內(nèi)存同邏輯處理器的 3D 垂直集成。這一縱向結(jié)構(gòu)可提供更大的內(nèi)存帶寬，將深遠(yuǎn)改變 HPC&AI 芯片生態(tài)。
HBM 內(nèi)存基礎(chǔ)裸片轉(zhuǎn)由邏輯晶圓廠生產(chǎn)也是半導(dǎo)體制造兩大領(lǐng)域走向融合的最好證明。韓媒在報道中提到，SK 海力士和三星電子均正為其 HBM 內(nèi)存團(tuán)隊補(bǔ)充邏輯設(shè)計人才。 
