繼三星在公布令人失望的Q3業(yè)績并發(fā)表了一份冗長的道歉聲明后，據(jù)證實，三星正在進行高強度的管理診斷（審計），以找出包括高帶寬存儲器（HBM）在內的半導體業(yè)務競爭力下降的原因。三星先進DRAM業(yè)務下滑，包括在爭奪英偉達供應時被SK海力士和美光推出的第四代和第五代HBM（HBM3/HBM3E）超越，三星希望借此提供扭轉局面的機會。
據(jù)悉，三星電子將在年底人事大洗牌期間大幅削減半導體部門高管人數(shù)，并對總裁級部門負責人陣容進行調整。三星還將提高虧損達數(shù)萬億韓元的半導體代工業(yè)務的效率，并重組半導體研究所這一未來技術開發(fā)組織。
半導體行業(yè)人士10月9日表示，三星電子最近在副董事長、設備解決方案（DS）部門負責人全永鉉（Jeon Young-hyun）的指導下，開始致力于恢復半導體競爭力。去年5月被任命為三星芯片業(yè)務“救火隊長”的全永鉉10月8日宣布了未達到預期的第三季度臨時業(yè)績，并寫了一份反思聲明說：“我為強調恢復技術競爭力、充分準備未來和組織文化，提出了以改進為中心的騰飛計劃。”
為此，三星電子已開始對其尖端存儲半導體業(yè)務進行管理評估。目的是找出三星電子、SK海力士、美光等“三巨頭”半導體公司中，只有三星無法向英偉達供應HBM3E的原因。通過管理層診斷，三星計劃尋找方法來恢復HBM以及DDR5等通用DRAM產(chǎn)品的競爭力。
尖端通用產(chǎn)品的競爭力也受到質疑。最新標準的DDR5 DRAM和第五代10nm DRAM“D1B”就是這樣的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品預計將在管理診斷過程中進行改革，因為它們決定了用于服務器的DRAM和用于在電子設備中獨立運行的設備上人工智能（AI）的DRAM的競爭力。一位半導體行業(yè)官員解釋說，“三星的DRAM競爭力已經(jīng)下降到需要進行高強度審核的地步……需要一個有轉機的機會”。
三星電子還計劃通過大規(guī)模人事變動來改革組織氛圍。有消息稱，該公司正在考慮一項計劃，在年底人事變動期間大幅削減DS部門的高管人數(shù)。截至今年第二季度業(yè)績報告，三星電子DS部門的高管人數(shù)為438人，占高管總數(shù)（1164人）的38%，這是SK海力士（199人）的兩倍多。
三星在2017年和2018年半導體超級繁榮期間選拔大量高管，以及在發(fā)展系統(tǒng)半導體（不包括存儲半導體的業(yè)務）的同時聘用多名代工廠和無晶圓廠高管，導致了這樣的后果。即使在2022年和2023年，當三星的半導體競爭力開始受到質疑時，也沒有出現(xiàn)明顯的高管裁員。
但據(jù)報道，在三星內部和外部批評必須減少高管人數(shù)以提高組織效率后，該公司決定裁撤高管。預計，通過年底人事變動，五位總裁陣容將發(fā)生變化，其中包括DS事業(yè)部下屬存儲器、代工、系統(tǒng)LSI等三個事業(yè)部的負責人，以及首席技術官兼制造和技術經(jīng)理。 
