據(jù)韓國媒體報道，由于三星電子的8層和12層堆疊HBM3E內存樣品性能未能達到英偉達的要求，今年內正式啟動供應的可能性變得非常渺茫，實際供貨預計將推遲至2025年。
報道指出，三星電子自2023年10月起便開始向英偉達提供HBM3E內存的質量測試樣品，但在一年多的時間里，認證流程并未取得明顯進展。
消息人士透露，SK海力士在HBM3E技術上的領先地位，實際上已經(jīng)為這一內存設定了性能參數(shù)標準，而三星電子的HBM3E在發(fā)熱和功耗等關鍵性能參數(shù)上未能滿足英偉達的嚴格要求。
SK海力士在HBM3E上使用了批量回流模制底部填充MR-RUF鍵合技術，而三星電子與美光則采用的是TC-NCF熱壓非導電薄膜技術。
盡管三星電子在全球HBM和NAND市場中曾占據(jù)領導地位，但目前看來，其在HBM3E領域的競爭中已落后于競爭對手。
不過三星電子仍計劃在2025年第一季度開始向英偉達等大客戶供應HBM3E，并期望通過下一代HBM4工藝獲得競爭優(yōu)勢。 
