據彭博社報道，美國眾議院周一通過了一項法案，將免除一些半導體制造項目需要滿足的聯邦許可要求，從而消除了外界對于環(huán)境評估和訴訟可能推遲國內芯片工廠建設的擔憂。
這項法案旨在加快美國半導體產業(yè)的建設，將送交美國總統(tǒng)拜登簽署。在2022年《芯片與科學法案》的激勵下，多家芯片公司已承諾在美國本土投資約4000億美元建廠。英特爾、臺積電等公司有望從《芯片與科學法案》中獲得數以十億美元計的補貼，資助他們在美國各地的重大項目。然而，這些補貼還尚未最終確定，而且要求半導體建設項目需遵循美國《國家環(huán)境政策法》(NEPA)的審查。
新法案主要豁免環(huán)境評估要求
眾議院周一通過的法案將放寬環(huán)保要求。長期以來，美國半導體行業(yè)官員和商務部長雷蒙多一直擔心，NEPA審查可能會對半導體建設項目造成數月或數年的延誤，并導致這些項目面臨訴訟風險。然而，環(huán)保團體則警告稱，不要讓芯片制造商繞過這一過程，理由是半導體行業(yè)的排放量不斷增加，環(huán)境代價也更大。
三種豁免方式
新法案公布了《芯片與科學法案》資助的項目獲得《國家環(huán)境政策法》豁免的三種方式。第一種是在今年年底前開工建設，這是大多數主要建設項目應該能夠達到的門檻。一個例外是美光科技在紐約州的建設項目，該項目尚未滿足《清潔水法》和各州規(guī)定的許可要求。
其次，只接受貸款而不接受直接補助的項目將不接受NEPA的審查，這一條款目前尚未適用于任何《芯片與科學法案》激勵方案。第三，如果政府資助占項目成本的比例低于10%(之前版本為15%)，該建設項目將獲得豁免。
在周一的投票之前，美國國會就這項擬議中的法律進行了一年多的爭論。芯片行業(yè)一直將該法案視為首要任務。去年夏天，作為一項更廣泛國防法案的一部分，參議院最初批準了NEPA對《芯片與科學法案》資助項目的豁免，但眾議院議長約翰遜在一些共和黨議員的反對下，在去年12月否決了這一條款。他們希望尋求更廣泛的許可改革，而不是為芯片行業(yè)設立單獨的豁免條款。作為回應，參議院隨后通過了一項獨立版本的法案，這就是眾議院周一批準的內容。 
