在近日舉辦的SPIE大會上，ASML新任CEO傅恪禮（Christophe Fouquet）發(fā)表了精彩的開幕/主題演講，重點(diǎn)介紹了High NA EUV光刻機(jī)。
很明顯，High NA EUV光刻機(jī)不太可能像最初的EUV光刻機(jī)那樣出現(xiàn)延遲。我們只能期待它相對快速地推出和采用，因?yàn)镠igh NA EUV光刻機(jī)更像是EUV光刻機(jī)的“升級款”，而不是一個全新的產(chǎn)品。
傅恪禮談到了組裝掃描儀子組件的新方法，即在客戶的現(xiàn)場組裝，而不是在ASML組裝后拆卸并再次在客戶的現(xiàn)場組裝設(shè)備。
這在處理相對簡單的沉積和蝕刻工具以及類似的工具時已經(jīng)實(shí)現(xiàn)結(jié)果，但對于高復(fù)雜度的光刻設(shè)備來說則是另一回事。但這將大大節(jié)省時間和成本。這將有助于加快High NA EUV光刻機(jī)的發(fā)展。
未來High NA EUV光刻機(jī)可混合搭配鏡頭組件
常規(guī)EUV光刻設(shè)備和High NA EUV光刻設(shè)備之間唯一真正的區(qū)別是鏡頭堆棧，因此如果您設(shè)計(jì)一個鏡頭堆棧位于中間的設(shè)備，則可以將常規(guī)EUV鏡頭、High NA鏡頭或Hyper NA鏡頭換到同一個基本工具中。
它具有大量的通用性、更多的成本節(jié)約、簡單性等。ASML正在采取的模塊化方法支持這種方案。這顯然有助于降低成本、安裝時間，提升利潤。
在演示中，傅恪禮還提到，ASML在圣地亞哥擁有穩(wěn)定的740瓦電源，并且有明確的途徑實(shí)現(xiàn)1000瓦的供電。
傅恪禮：采用大尺寸掩模將“不費(fèi)吹灰之力”
去年，英特爾在SPIE上認(rèn)真提出了將掩模尺寸從6英寸×6英寸增加一倍到6英寸×12英寸的想法。今年的會議上，這項(xiàng)技術(shù)得到了許多公司的大力支持，許多光掩�；A(chǔ)設(shè)施公司都參與其中。其中最主要也最關(guān)鍵的參與者是ASML，傅恪禮稱采用雙倍尺寸掩模對于行業(yè)來說是“不費(fèi)吹灰之力”的，ASML為這一變革付出了巨大的努力。
這對ASML來說也意義重大，因?yàn)樗兄诳朔﨟igh NA的芯片尺寸限制。40%的性能提升本身就值得進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
Mark Phillips：英特爾已在波蘭特工廠安裝兩臺High NA光刻機(jī)
英特爾院士兼光刻總監(jiān)Mark Phillips緊隨傅恪禮之后繼續(xù)High NA的主題討論。英特爾現(xiàn)在在波特蘭工廠安裝了兩個High NA系統(tǒng)。
Mark Phillips展示了兩個系統(tǒng)的一些非常漂亮的圖像，這些圖像顯示了High NA EUV相對于標(biāo)準(zhǔn)EUV帶來的改進(jìn)，這可能比預(yù)期的要好。由于不斷學(xué)習(xí)，第二個系統(tǒng)的安裝比第一個更快。
值得注意的是，High NA所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施都已到位并開始運(yùn)行，High NA的光掩模檢查已經(jīng)開始運(yùn)行。因此，無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產(chǎn)。
Mark Phillips還被問及關(guān)于CAR（化學(xué)放大光刻膠）與金屬氧化物光刻膠的問題，他說CAR目前還不錯，但將來可能需要金屬氧化物光刻膠。這似乎大大推遲了對金屬氧化物光刻膠（如泛林集團(tuán)的干光刻膠）的需求，使其在更遠(yuǎn)的未來實(shí)現(xiàn)。這對日本JSR或泛林集團(tuán)來說不是好消息。
目標(biāo)插入點(diǎn)是英特爾的Intel 14A（1.4nm）工藝，大約需要3年時間，這可能再次比預(yù)期的要快。
（我們在會議上聽到的唯一關(guān)于High NA的小問題是，將巨大的High NA工具從拖車上運(yùn)到波特蘭的工廠時遇到了麻煩，因?yàn)橥宪囋跇O端的重量負(fù)荷下彎曲了�。�
這種近乎完美的安裝對英特爾來說是個好消息，因?yàn)檫@是他們執(zhí)行計(jì)劃所需的“勝利”，尤其是在最初的EUV光刻機(jī)采用速度緩慢之后。
臺積電針對High NA努力談判，但將被迫跟進(jìn)
與其迅速接受最初的EUV光刻機(jī)推出相比，臺積電以成本為由，遲遲不肯接受High NA。在外界看來，這有點(diǎn)像臺積電的談判游戲，也許是在與ASML爭奪更好的條件。
但預(yù)測臺積電不會堅(jiān)持太久，特別是如果英特爾開始在High NA設(shè)備方面取得領(lǐng)先地位的話，臺積電將不得不屈服并繼續(xù)前進(jìn)。臺積電在英特爾倡導(dǎo)的掩模倍增方面也進(jìn)展緩慢，但最終也會跟進(jìn)，因?yàn)檫@對他們來說是免費(fèi)的性能提升。
會議上的傳言
消息稱，ASML的傅恪禮和英特爾的Anne Kelleher在會議開始前的周日會面……也許是為了討論他們在推出High NA方面的合作關(guān)系。
分析認(rèn)為，對于KLA（科磊）及其長期推遲的Actinic掩模檢查計(jì)劃來說，可能會有一些好消息，這是非常需要的。
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分析認(rèn)為此次會議顯然對High NA EUV光刻機(jī)的推出和摩爾定律的整體技術(shù)進(jìn)步非常有利。
這對英特爾和ASML來說顯然都是利好消息。首先，這對英特爾來說無疑是好事，因?yàn)樗枰M可能多的技術(shù)優(yōu)勢，而High NA可能是該行業(yè)目前正在經(jīng)歷的最關(guān)鍵的技術(shù)變革。
對于ASML來說也是利好消息，因?yàn)樵摴镜墓蓛r一直不穩(wěn)定且承受壓力，這在很大程度上是由于中國市場問題掩蓋了High NA的更大技術(shù)進(jìn)步。
在更大的全球半導(dǎo)體市場上，一切都圍繞著人工智能（AI），其它的都不重要。由于一切都圍繞人工智能展開，因此后緣仍然較弱。（校對/孫樂）
參考鏈接：https://semiwiki.com/semiconductor-services/semiconductor-advisors/349666-spie-monterey-asml-intc-high-na-readiness-bigger-masks-smaller-features/ 
